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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-04-27 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底的表面上形成有位于所述衬底不同区域的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料不同；图形化所述第一半导体层和所述第二半导体层，以剩余在所述衬底上的第一半导体层为第一鳍部，以剩余在所述衬底上的第二半导体层为第二鳍部，所述第一鳍部的壁厚大于所述第二鳍部的壁厚；形成覆盖所述第二鳍部的保护层；形成覆盖所述第二鳍部的保护层之后，去除所述第一鳍部的部分侧壁，使去除部分侧壁后的第一鳍部的壁厚与所述第二鳍部的壁厚之差小于或等于

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156233 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202010928111.4 (22)申请日 2020.09.07 (71)申请人 中芯

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