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2023-04-27 发布于北京
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蚀刻缺陷检测方法.pdf

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本公开提供一种蚀刻缺陷检测方法，涉及半导体技术领域。该检测方法包括：提供衬底，衬底上依次形成有导电层以及介质层；对介质层进行蚀刻处理，以形成沟槽结构；以导电层作为阴极，采用电镀工艺在沟槽结构内填充电镀层，以形成待测产品；采用缺陷密度检测组件测试待测产品，以获取沟槽结构的顶视图像，根据顶视图像确定待测产品的蚀刻缺陷。本公开的蚀刻缺陷检测方法可提高缺陷识别准确率，防止电容因悬空而失效。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171418 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010946739.7 (22)申请日 2020.09.10 (71)申请人长鑫存储技术有限公司