半导体腔室.pdfVIP

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2023-04-28 发布于四川
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半导体腔室.pdf

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本发明公开一种半导体腔室，包括腔室本体、磁控管、晶片承载台和靶材，所述磁控管和所述靶材均位于腔室本体的顶部，所述晶片承载台位于所述腔室本体内，所述半导体腔室还包括第一磁性装置和第二磁性装置；所述第一磁性装置位于所述腔室本体内，且环绕所述晶片承载台设置，所述第一磁性装置能够形成与所述晶片承载台的承载面相平行的磁场；所述第二磁性装置设置于所述腔室本体，所述第二磁性装置位于所述第一磁性装置与所述磁控管之间，所述第一磁性装置的磁极排布方向与所述第二磁性装置的磁极排布方向相同，所述第二磁性装置能够与所述磁

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114196931 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202111570407.4 (22)申请日 2021.12.21 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司