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本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过等离子体对含有所述氧化层的碳化硅衬底进行钝化；采用退火炉对所述钝化后的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火；本发明通过氧族气体中的氧等离子体消除氧化层及碳化硅衬底表面残余的碳，利用氮族气体中的氮等离子体和磷族气体中的磷等离子体对氧化层及碳化硅衬底表面进行钝化，采用退火炉对碳化硅衬底进行高温退火，避免退火过程中引入新的杂质，减少氧化层中缺陷，提高氧化层质量，大大降低了碳化硅与氧化层之间的界面态密度，进而提高了碳化硅功率器件的反型沟
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114188215 A
(43)申请公布日 2022.03.15
(21)申请号 202111445243.2
(22)申请日 2021.11.30
(71)申请人 电子科技大学
地址
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