一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置.pdf

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本发明涉及半导体技术领域中的集成电路静电防护可靠性设计，具体为一种应用于SOI‑FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置；以SOI衬底为基础，制备得到纵向鳍硅、横向鳍硅、介质和栅电极；纵向鳍硅包含纵向鳍硅一和纵向鳍硅二；纵向鳍硅一包含第一类和第二类两种半导体类型的掺杂区域，纵向鳍硅二为第二类半导体类型，横向鳍硅为第二类半导体类型，纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅三者共同形成H型鳍硅结构且电学相连接，载流子控制区域仅为纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅的一部分；能够在SOI‑FinFET工艺下

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267671 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202111586865.7 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人常州鼎先电子有限公司