一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管.pdf

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本发明揭示了一种具有高浪涌电流的碳化硅MPS二极管，依次由阴极欧姆接触电极、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑外延层层叠构成，所述碳化硅N‑外延层上间隔设置有多个P+注入区，所述P+注入区上设有欧姆接触电极，所述欧姆接触电极之间的间隙由肖特基接触电极填充，所述碳化硅N‑外延层两侧均设有双极性传输层。本发明MPS二极管由于变掺杂的双极性传输层存在，降低了MPS二极管的PN结导通电压，使二极管可以在更低的电流下提前进入双极性工作状态，发生电导调制效应，使二极管的导通电阻降低，降低二极管在大电流下的芯片温度，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267719 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202111528940.4 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人芜湖启迪半导体有限公司