功率半导体器件.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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本申请提供一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括第一导电类型碳化硅衬底和位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层，以及设置于所述漂移层上的有源区、终端区和位于所述有源区与所述终端区之间的主结区；所述有源区包括多个间隔设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第一掺杂区，以及位于漂移层上方的第一金属层和第二金属层；所述主结区包括设置于所述漂移层表面内的第二导电类型第二掺杂区，以及覆盖所述第二掺杂区部分上表面的电阻层；所述电阻层具有正的温度系数；所述第一金属层、所述第二金属层和所述电阻层相互电连接。通过在主

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220843 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111537706.8 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人株洲