一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺.pdf

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本发明涉及一种MRAM磁隧道结底部陡直度的控制工艺，采用了反应离子刻蚀与等离子束刻蚀相结合的方法。反应离子刻蚀的工艺是：顶电极功率为100‑500W，底电极功率为100‑1500W，刻蚀腔体压力为2‑20mT，气体流量为10‑500sccm，刻蚀到底部绝缘层之下至介质之上停止；等离子束刻蚀的工艺是：离子束角度为45°‑90°，离子能量为50‑600V，离子加速偏压为50‑1000V，气体流量为10‑500sccm；刻蚀量5‑15nm。反应气体是氩气。本发明可以调整MRAM结构底部的陡直度，达成M

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256411 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202010995271.0 (22)申请日 2020.09.21 (71)申请人江苏