功率晶体管的结终端.pdfVIP

下载本文档

1
0
约8.96千字
约 8页
2023-05-04 发布于北京
举报
版权申诉

功率晶体管的结终端.pdf

1、本文档共8页，其中可免费阅读7页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种功率晶体管的结终端，包括介质层、多个场限环组以及多个与场限环组对应的场板；场板在介质层的投影面积大于场限环组在介质层的投影面积；其中，场限环组包括主场限环和多个辅助场限环；主场限环通过介质层的接触孔与对应的场板相连，辅助场限环通过介质层与对应的场板隔离。这样，一个场板、一个主场限环和多个辅助场限环形成一个复合结构，在相同阻断电压的约束下，场板的数量更少，场板之间的间隙的数量也越少，终端暴露面积随之减少，在后续芯片工艺、封装过程以及外部环境中，尽可能的减少电荷通过这些间隙进入到介质

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220842 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111537531.0 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人株洲中车时代半导体有限公司