半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括用于形成第一型晶体管的第一器件区以及用于形成第二型晶体管的第二器件区，衬底上形成有底部鳍部材料层和位于底部鳍部材料层上的沟道材料层；刻蚀沟道材料层和底部鳍部材料层，形成凸出于衬底上的底部鳍部以及位于底部鳍部上的第一有效鳍部；在衬底上形成填充层，覆盖第一有效鳍部的侧壁并露出第一有效鳍部的顶部；去除第一器件区的第一有效鳍部，形成沟槽；在沟槽中形成第二有效鳍部；在衬底上形成隔离层，覆盖底部鳍部的侧壁，并露出第一有效鳍部和第二有效鳍部中任一个的部分侧壁或整个

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256349 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011017468.3 H01L 29/06 (2006.01) (22)申请日 2