半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，器件区的衬底上形成有分立的沟道结构，电源轨道区的衬底中形成有电源轨道线，衬底上形成有横跨沟道结构的栅极结构，栅极结构两侧的沟道结构中形成有源漏掺杂区，栅极结构侧部的衬底和电源轨道线上形成有层间介质层；形成贯穿位于部分电源轨道线上的层间介质层的导电通孔，暴露出电源轨道线；在导电通孔中填充保护层；形成贯穿源漏掺杂区顶部的层间介质层的互连槽，互连槽的侧壁暴露出保护层；形成位于导电通孔中的导电插塞以及位于互连槽中的源漏互连层，源漏互连层与导电插塞的侧壁

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256142 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011019323.7 H01L 23/48 (2006.01)