半导体装置及半导体存储装置.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体装置及半导体存储装置.pdf

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本发明涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：衬底；第1电极；第2电极，其与衬底之间设置着第1电极；氧化物半导体层，设置在第1电极与第2电极之间，与第1电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)及锡(Sn)所组成的群中的至少一种第1元素和锌(Zn)，化学组成和第1电极及第2电极不同；导电层，设置在氧化物半导体层与第2电极之间，与第2电极相接，含有选自由铟(In)、镓(Ga)、硅(Si)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)及钛(Ti)所组成的群中的至少

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114267740 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202110102182.3 (22)申请日 2021.01.26 (30)优先权数据 2020-1558