半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；位于衬底上的栅叠层结构；贯穿栅叠层结构的多个开孔；贯穿栅叠层结构的开槽；位于开槽内的牺牲层、阻挡层和接触结构；绝缘层，用于在多个开孔内形成第一气隙，并在阻挡层、接触结构和栅叠层结构之间实现电气隔离，其中，所述接触结构贯穿所述绝缘层和阻挡层，所述牺牲层和所述阻挡层被所述绝缘层隔开，部分所述阻挡层延伸到所述牺牲层上方。该半导体器件提高了阻挡层的第一端部和第二端部与接触结构的距离，从而大大降低了第二气隙与接触结构相接触的可能性，提高了半导

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256248 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202011013620.0 H01L 27/1157 (2017.01) (22)申请日