一种制备硅纳米腔的方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种制备硅纳米腔的方法.pdf

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本发明公开了一种制备硅纳米腔的方法，本发明采用自组装方法制备的高度有序的聚苯乙烯小球阵列，放入等离子体清洗机中刻蚀，利用磁控溅射在聚苯乙烯小球阵列表面溅射50～200nm的金属，取下聚苯乙烯小球阵列，将纳米孔阵列放入盛有NaOH溶液的烧杯中刻蚀；本发明与块状结构相比，硅纳米结构在性能上有其优越性，研究显示，硅在紫外光范围内同样具有局域表面等离子激元效应，能达到类似贵金属(金、银)纳米结构的增强效果，在光电器件的制备，表面增强拉曼检测等方面效果显著。本发明制备得到了一种图案化硅纳米结构。该制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114249325 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111580591.0 (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人杭州