半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备.pdf

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本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器和电子设备。上述半导体器件的制作方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括多个浅沟槽隔离和多个位于相邻的两个浅沟槽隔离之间的鳍片；在半导体结构上形成图形化的硬掩膜，使得表面上无需形成栅极的预定鳍片裸露；对具有硬掩膜的半导体结构进行预定处理，使得预定鳍片的至少表面部分形成绝缘部分。该方法可以有效减轻由于预定鳍片与栅极的距离很近导致容易发生漏电的问题，并且，该方法中增加的绝缘部分可以缓解“栅极充电时，由于预定鳍片中的电荷会和栅极的电荷产生感应，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256151 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111426129.5 (22)申请日 2021.11.26 (71)申请人长江存储科技有限责任公司