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本公开提供一种场效应存储器件，涉及半导体技术领域。该器件包括：半导体基片；源区和漏区，形成于半导体基片上且相互隔开，源区与漏区之间形成有沟道区，沟道区上形成有栅氧层，栅氧层的两端与源区和漏区相接，栅氧层具有可移动带电缺陷，栅氧层上形成有栅电极；源电极和漏电极，分别形成于源区和漏区上。本公开的场效应存储器件，利用栅氧层中可移动带电缺陷的位置分布来调控沟道电流的开关状态，实现信息的写入。结构简单，容易制备，易于大规模推广应用的特点，可以同时满足目前对非易失存储器提出的快速读写、高读写次数、低功耗、高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114284356 A
(43)申请公布日 2022.04.05
(21)申请号 202111584356.0
(22)申请日 2021.12.22
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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