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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明提供了一种晶圆处理装置。该晶圆处理装置包括反应腔室；反应腔室设有支撑座，支撑座用于承载晶圆；反应腔室的顶侧可拆卸连接有喷头面板，喷头面板用于向晶圆喷射等离子体；支撑座设有陶瓷件，陶瓷件具有耐腐蚀性。本发明的晶圆处理装置通过将支撑座和喷头面板设置于反应腔室内，能够对设置于反应腔室内的晶圆进行支撑和处理，并通过在支撑座设置陶瓷件能够限制等离子体的范围，且能够避免陶瓷件或支撑座与反应腔室侧壁之间发生异常放电，并能够减缓支撑座以及陶瓷件在长期技术处理的环境作用下的影响，减缓反应腔室内颗粒和微粒物质
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300335 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111582549.2
(22)申请日 2021.12.22
(71)申请人 拓荆科技股份有限公司
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