半导体器件的测量方法、装置及存储介质.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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半导体器件的测量方法、装置及存储介质.pdf

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本发明涉及一种半导体器件的测量方法、装置及存储介质，半导体器件具有半导体结构，半导体结构中形成有多个开孔，该多个开孔在第一横向上呈多行排布，半导体器件的测量方法包括：利用扫描电镜对暴露于半导体结构表面的多个开孔进行扫描，得到平面多孔图；读取平面多孔图的灰阶数据，灰阶数据包括平面多孔图中各个像素点的灰阶值；根据灰阶数据，从平面多孔图中确定每行开孔所在的行多孔区域；确定行多孔区域中各个开孔的轮廓；根据各轮廓计算出各相对应开孔的尺寸，从而在测量三维存储器的沟道孔尺寸的过程中，能够避免扫描电镜图像中不同

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114295080 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111646488.1 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人长江存储科技有限责任公司