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一种发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种发光二极管及其制备方法.pdf

    本发明涉及发光器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底和在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，电子阻挡层包括第一子层、第二子层和第三子层；多量子阱发光层、第一子层、第二子层和第三子层均包括同一位置设置的V型坑区域和平行于衬底的平面区域；平面区域，第一子层、第二子层和第三子层的厚度之比为50～400:0.001～50:10～400；V型坑区域，第一子层、第二子层和第三子层的厚度之比为5～20:0.001～5:5～100。这

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300590 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111621442.4 H01L 33/32 (2010.01)

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