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SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置.pdf

    本发明公开了一种SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置，具体为：步骤1：根据流经SiC/Si混合并联器的负载电流选择开关模式；步骤2：采用迭代计算根据SiC/Si混合并联器件的损耗计算SiCMOSFET的结温Tj_MOS以及SiCMOSFET的结温Tj_IGBT；步骤3：在Tj_MOS和Tj_IGBT之间选择最大值作为参考结温Tj，如果Tj小于预设的第一参考结温Tref_j1，或者大于等于预设的第二参考结温Tref_j2，则采用最小损耗控制法计算SiC/Si混合并联器开关的开通、关

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114301269 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111538772.7 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人 南京航空航天大学

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