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本发明公开了一种直拉法生长无位错锗单晶热场和生长工艺。该热场的结构包括筒形主加热器和圆盘形底加热器，在主加热器外层依次设置有石墨保温桶、固化碳毡保温桶，在石墨保温桶和固化碳毡保温桶上端设有紧贴炉壁的多层保温盖，相邻的两层保温盖之间用石英块隔开；热屏悬挂在保温盖上，并从保温盖朝向靠近单晶的方向延伸到熔体液面上方的位置；热屏采用多层结构设计，热屏的主体结构为喇叭形，靠近单晶的内层热屏采用上薄下厚的楔形结构，两层热屏之间具有间隙。锗单晶的生长过程中，在籽晶前端浸入熔体前，需要分为四个烤晶悬停位置，使籽
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114293256 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111680194.0
(22)申请日 2021.12.30
(71)申请人 有研科技集团有限公司
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