半导体装置和制造半导体装置的方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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半导体装置和制造半导体装置的方法.pdf

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本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。本文可提供一种制造半导体装置的方法。该方法可包括：形成层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层；形成第一开口，该第一开口包括穿过层叠结构的通孔以及联接到通孔并位于第一材料层和第二材料层的至少一个界面中的凹口；形成牺牲层，该牺牲层包括位于通孔中的第一部分和位于凹口中的第二部分；以及将牺牲层的第一部分氧化，从而形成位于通孔中的第一牺牲图案和位于凹口中的填塞图案。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334803 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202110493641.5 H01L 27/11556 (2017.01)