鳍式场效应晶体管的截断工艺方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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鳍式场效应晶体管的截断工艺方法.pdf

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本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的截断工艺方法，包括步骤：步骤一、提供形成有多个鳍体和第一间隔区的半导体衬底，形成第一材料层将第一间隔区完全填充并延伸到鳍体的表面上方并形成平坦化的表面；步骤二、形成包括多个第一条形结构以及第二间隔区的第一图形结构；步骤三、在第一条形结构的侧面形成第二侧墙将第一条形结构两侧的鳍体顶部覆盖；步骤四、去除第一条形结构形成以第二侧墙形成的第二图形结构；步骤五、以第二侧墙为掩膜对第一材料层和鳍体进行刻蚀以实现鳍体的截断；步骤六、将第二侧墙和剩余的第一材料层都去除。本发明能

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334820 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011069653.7 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司