一种无泄漏肖特基超结半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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一种无泄漏肖特基超结半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种无泄漏肖特基超结半导体器件及其制造方法，其中无泄漏肖特基超结半导体器件是在第一导电类型漂移区形成沟槽，沟槽内的底部沉积有金属层，金属层与第一导电类型漂移区形成柱状金属/第一导电类型半导体肖特基结，并在沟槽内的中部沉积有沟槽介电层，沟槽介电层沉积在第一导电类型漂移区与第二导电类型阱区的P/N结的高度位置，保证金属层不与第二导电类型阱区形成欧姆接触，在沟槽介电层上沉积有阴极金属层，阴极金属层分别与第二导电类型高掺杂阱区和第一导电类型高掺杂阱区形成欧姆接触。本发明的无泄漏肖特基超结半导

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284360 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111591887.2 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人芯立嘉集成电路（杭州）有限公司