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本发明公开了一种薄膜制备方法,包括:构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层,牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性;在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长;改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜。通过构建至少一层支撑层和至少一层牺牲层,并通过改变外界条件使得牺牲层失效,使得薄膜和支撑层脱离,得到独立的薄膜,此结构对于薄膜分离、转移具有很好的应用价值,能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供了一种简单便捷的薄膜分离方式。可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300338 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111472034.7
(22)申请日 2021.12.06
(71)申请人 电子科技大学长三角研究院(湖州)
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