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本发明的目的在于：在碳化硅半导体装置中，通过缓和在回流动作时施加到终端阱区域的电压，抑制双极性通电。SiC‑MOSFET101在漂移层(20)的表层具备都为第2导电类型的、多个第1阱区域(30)、第2阱区域(31)、第3阱区域(32)。第3阱区域(32)设置于第2阱区域(31)的与第1阱区域(30)相反的一侧。包括第1阱区域(30)的组件单元内置单极性型二极管。SiC‑MOSFET101具备与单极性型二极管和欧姆电极(70)连接、不与第2阱区域(31)以及第3阱区域(32)欧姆连接的源极电极(8
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114342089 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 201980099839.6 (51)Int.Cl.
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