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本发明属于有机/高分子信息存储器件领域，具体提供一种用于生物突触模拟和神经形态计算的聚(硫族紫精‑三苯胺)材料高分子忆阻器及其制备。该器件结构为经典的三明治结构，底电极为ITO，活性层为含有硫族元素(S,Se,Te)侨联的紫精和三苯胺氧化还原结构单元的PCVTPA薄膜(包括PSVTPA,PSeVTPA,PTeVTPA)，顶电极为Al。通过对该器件施加持续扫描的循环电压，其电流电压曲线表现出基于历史依赖的忆阻性能，可以用来模拟突触电位/抑制、人类的学习和记忆功能，从短期突触可塑性到长期可塑性的过渡
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300617 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111080160.8
(22)申请日 2021.09.15
(71)申请人 华东理工大学
地址
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