镂空铜箔及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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镂空铜箔及其制备方法.pdf

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本发明的目的在于揭示一种镂空铜箔及其制备方法，开发具有一定厚度的镂空铜箔电极，以替代现有的银浆栅线电极，降低电极成本，镂空铜箔，铜箔厚度为25μm‑100μm，所述铜箔为镂空结构，所述铜箔作为硅片的电极，镂空铜箔的制备方法，包括以下步骤：将铜箔与聚丙烯薄膜进行复合，形成复合铜箔；对复合铜箔的铜箔面进行刻蚀形成镂空铜箔，与现有技术相比，本发明的有益效果是：铜的电阻率为1.75*10‑8Ω.m，而银的电阻率为1.65*10‑8Ω.m，以镂空铜箔替代现有的银浆栅线作为光伏电池片电极，降低电池片的电极材

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284369 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111639758.6 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人明冠新材料股份有限公司