半导体结构.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.65万字
约 17页
2023-05-05 发布于四川
举报
版权申诉

半导体结构.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体结构包括基板、芯片、第一边缘垫、第一中央垫、第二边缘垫以及第二中央垫。基板具有第一表面与在基板上延伸的导电迹线。芯片位于该基板的该第一表面上。芯片具有侧壁、中央区及位于中央区与侧壁之间的边缘区。第一边缘垫位于芯片的边缘区上。第一中央垫位于芯片的中央区上，且电性连接至第一边缘垫。第二边缘垫位于芯片的边缘区上。第一边缘垫与芯片的侧壁之间的距离实质上小于第二边缘垫与芯片的侧壁之间的距离。第二中央垫位于芯片的中央区上，且电性连接至第二边缘垫。借此，本揭露的半导体结构，可以降低电容，从而改善半导

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334900 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111133991.7 (22)申请日 2021.09.27 (30)优先权数据 17/037,59