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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明涉及磁场探测装置技术领域,具体涉及基于光敏半导体材料的磁场探测装置。绝缘弹性层设置在衬底层上,光敏半导体部设置在绝缘弹性层上的中部,第一导电部和第二导电部分别设置在绝缘弹性层上的两端,半导体材料部的两端分别与第一导电部和第二导电部固定连接,第一导电部和第二导电部的高度大于光敏半导体部的高度,磁致伸缩材料部固定连接第一导电部和第二导电部的上表面,第一电极和第二电极分别设置在第一导电部和第二导电部上。本发明具有磁场探测灵敏度高、量程宽等优点,在磁场探测灵敏具有良好的应用前景。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114295949 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111352394.3
(22)申请日 2021.11.16
(71)申请人 刘翡琼
地址 710
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