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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明公开了一种低关断损耗的超级结绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。所述超级结绝缘栅双极型晶体管包括第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第二导电类型的外延层和第一导电类型的阱区;集电区与集电极配合设置;漂移区形成在集电区上,并且漂移区内分布有多个超级结区;外延层形成在漂移区上,阱区形成在外延层上部,并且外延层及阱区内设置有栅极;阱区上部形成有第二导电类型的发射极;其中,超级结区包括第一导电类型的柱,第一导电类型的柱填充于第一沟槽内;晶体管还包括第二导电类型的高掺杂区,高掺杂区沿周向包围柱的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300528 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111626123.2
(22)申请日 2021.12.28
(71)申请人 深圳市千屹芯科技有限公司
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