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一种SRAM构造方法、器件、存储介质及智能设备.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种SRAM构造方法、器件、存储介质及智能设备.pdf

    本发明实施例公开了一种SRAM构造方法，包括传输管构造步骤、阻性连接切断步骤和金属互连步骤；通过在构造工艺中引入阻性连接切断步骤，可将多晶硅导致的电阻进行去除，使电路的对称性改善，避免了多晶硅串联电阻引起的读电流不匹配。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300011 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111519774.1 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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