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本发明涉及一种多晶硅太阳能电池沉积氮化硅膜的方法,属于太阳能电池生产技术领域。包括:制绒‑将硅片置于多晶制绒清洗机中,利用制绒液与硅片反应,在硅片表面织构化处理制备绒面;扩散‑将制绒后的硅片置入扩散炉,利用低压热扩散法,以液态三氯氧磷作为扩散磷源并通过氮气携带进入炉管,在硅片表面形成PN结;刻蚀‑将扩散后的硅片置入背抛光机台,利用刻蚀液与硅片反应,去除硅片在扩散过程中边缘及背面形成的N型层,并去除硅片正面的磷硅玻璃;镀膜‑将刻蚀后的硅片置入PECVD机台中,在500‑520℃,以石墨舟为载体,真
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114277356 A
(43)申请公布日 2022.04.05
(21)申请号 202111590976.5 C30B 31/08 (2006.01)
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