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2023-05-05 发布于四川
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半导体结构.pdf

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本发明公开了一种半导体结构。例示性半导体结构包括：形成在层间介电层(inter‑layerdielectric,ILD)中的源极/漏极(source/drain,S/D)部件、电性连接至源极/漏极部件的源极/漏极接触导孔、形成于源极/漏极接触导孔上方的金属部件以及形成在金属部件上并电性连接至源极/漏极接触导孔的金属线。金属线是由与源极/漏极接触导孔的材料不同的材料所形成，且源极/漏极接触导孔与金属线间隔开。通过提供金属部件，可有利地减少或实质上消除金属线及接触导孔之间的电迁移。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334959 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202110856070.7 H01L 21/8238 (2006.01) (22)申请日