垂直型器件的制作方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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垂直型器件的制作方法.pdf

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一种垂直型器件的制作方法，首先自正面(10a)刻蚀GaN基半导体衬底(10)形成凹槽(101)；接着在凹槽(101)的底壁、侧壁以及半导体衬底正面(10a)依次形成P型半导体层(11)与N型半导体层(12)，P型半导体层(11)部分填充凹槽(101)；之后，平坦化N型半导体层(12)与P型半导体层(11)，且保留凹槽(101)内的P型半导体层(11)和N型半导体层(12)；再接着分别在半导体衬底正面(10a)的栅极区域形成栅极结构(13)、在栅极结构(13)的两侧形成源极(14)，以及在半导体衬

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114303249 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 201980099912.X (51)Int.Cl.