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降低同步整流DC-DC 变换器损耗技术的新拓扑 摘要：介绍了开关电源的同步整流原理，列出了采用同步整流技术直流- 直流变换器的几种主要损耗，着重分析了两种降低主要损耗的新型优化拓扑电路以及其优缺点。 1、引言 随着微电子和信息技术的飞速发展，芯片的集成化程度越来越高，这就要求芯片的工作电压很低，以解决功耗和散热等问题。现在通讯和芯片电源的输入常采用低电压、大电流模式,如5V/20A、3.3V/20A,甚至Pentium 4微处理器的工作电压只有1.5V。这样原先开关电源（即直- 直变换器）的肖特基整流管（SBD） 0.3V 压降的损耗，变得尤为突出，可以占电源总损耗的60% 以上。同时现在的功率MOS 管的通态电阻已做得很小，如IR公司可以做到5m Ω。以20A 为例可明显看出，用低阻抗的M O S 管取代S B D 作整流管的同步整流（SR）技术，可以使损耗降到原来的1/3,使电源的效率明显提高。 2、SR基本原理 SR 基本原理图如图1，其中Lk 为变压器的漏感，L m 为变压器的励磁电感， T 为理想变压器，PM 为开关管，PM1、PM2 为同步整流管，D1、D2为体二极管， C1、C2 为结电容，L 、C 分别为滤波电感和电容，T 为理想变压器。如图1 中的同步整流驱动波形，当开关管PM 断开时，整流管PM2断开，续流管P M 1 导通， 滤波电感L 和电容C 为负载供电。当开关管导通时，PM1 断开，PM2 导通，PM1 开始整流。因为要被整流的副边电压Vsec同PM1 和PM2 的驱动波形的相位相同，因此这种整形被称为同步整流。实际上，PM1 和PM2 之间的切换由于驱动信号的不理想，就可能会同时开通而导致短路，这样通常驱动信号切换有一定的延迟，在这期间D1、C1、D2、C2 分别开通来代替功率MOS管起整流和续流的作用。总的来说，采用同步整流的DC-DC变换器的损耗，主要由以下几方面组成：① 开关管PM 的开通和关断损耗；② 开关变压器的损耗；③ 体二极管D1、D2的开通和反向恢复损耗；④ PM1、P M2 的开通和驱动信号损耗；⑤ 滤波电感L 和电容C 上的损 耗。 图1 同步整流器原理图及理想工作波形 为了提高变换器的效率，就要尽量避免PM管的硬关断损耗，减少D1、D2 的开通时间，改善驱动信号的波形，降低滤波电感L 的值。按照驱动信号，同步整流变换器可分为它激式和自激式两大类。它激式就是由专门电路来提供整流驱动信号，电路特别复杂，不仅降低了电源的效率，增加了开发成本，而且也比较难保证驱动信号的同步，因此很少用；自激式不用专门电路来提供驱动信号，电 路比较简单，且效率也很高。本文将着重分析降低由于体二极管导通带来损耗来提高效率的自激同步整流优化拓扑。 由于变压器的漏感导致驱动信号延迟和一段时间变压器无输出，产生所谓的死区时间如图1中的t2~t3和t4~t5 时间，其间MOS管PM1 、PM2 关断，它们的体二极管分别导通。由于体二极管的正向压降和反向恢复时间远高于PM 1 、PM 2 和肖特级二极管，因此这部分损耗也占总损耗的很大一部分。为了减少损耗，可以为整流管PM1 、PM2 并联一个肖特基二极管，但由于还要解决二极管的散热等问题，所以效果不是很明显，减小寄生电感的代价较高，而且也不容易。下面提出两种以优化驱动波形来减少死区时间即体二极管的导通时间的拓扑。 有两个辅助绕组的同步整流器 如图2 有两个同变压器耦合的分离辅助绕组LA1、LA2（虚线框内）来分别驱动PM1、PM2 管。虽然辅助绕组LA1、LA2 也有漏感LAK1、LAK2, 但由于无工作电流通过这驱动绕组，因此不需要建立输出电流的时间。如果栅电容和漏感的谐振 频率足够高，栅信号的形成是瞬时的。因为这个方法可以迅速开通PM1、PM2，死区时间即体二极管导通的时间减少了一半。这种接法的另一个好处是驱动电压不只局限于副边电压，可以通过调整辅助线圈来得到合适的驱动电压。 图2 有两个辅助绕组的同步整流器及工作波形 实验波形见图3，开关频率220kHz, 输出2.2V,20A，PM 为IRF640 （R  DS （ON ） ＝ 0.18W），整流开关PM1 和PM2 为IRL3803（R ＝ 6mW,L =100mH , L =1mH, C=0.5mF，L ＝30mH，L ＝ 0.2mH 。 DS（ON） m k A1，2 Ak1 ，2 图3 实验波形 由图3 波形可明显看出，整流管PM1和PM2的驱动波形已接近理想方波形，证明电路拓扑效率高, 可达到91％左右。 栅极增设辅助电路的同步整流器 图4 中虚线框内部分为增设的辅助电路，利用MOSFET 栅极电荷效应延长续流MOSFET 的导通时间。它的工作原理为，当PM1 正常导通时, PM3 因栅