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深孔及其形成方法、三维存储器.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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深孔及其形成方法、三维存储器.pdf

    本申请提供一种深孔形成方法，包括：提供底层；于底层形成底层孔；于底层孔内形成填充材料；于底层上形成堆叠层；刻蚀形成贯穿堆叠层的顶层孔，并以填充材料作为刻蚀停止层；去除填充材料，形成由底层孔及顶层孔构成的深孔。本申请首先在底层中形成底层孔，再利用填充材料作为刻蚀停止层，形成顶层孔，进而形成由底层孔与顶层孔构成的深孔，深孔底部关键尺寸及深孔底部的位置能够预先通过底层孔而设置，能够改善深孔刻蚀的沟槽均一性，保证深孔底部的关键尺寸，提高深孔底部关键尺寸与深孔顶部关键尺寸的比值，并且能够确保刻蚀完全，不会

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300458 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111643249.0 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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