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在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法.pdfVIP

在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法.pdf

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    本发明公开了一种在金刚石衬底上制备GaN薄膜的方法，在常规衬底上生长GaN纳米柱，在GaN纳米柱上生长多晶金刚石薄膜，除去常规衬底，以多晶金刚石薄膜为衬底，以多晶金刚石薄膜上的GaN纳米柱为成核层，在其上生长GaN薄膜。本发明利用了基于金刚石衬底的GaN纳米柱形成成核层，以生长后的金刚石薄膜作为衬底，去除硅后，金刚石薄膜上集成了GaN纳米柱，以GaN纳米柱作为中间层生长GaN薄膜，由于GaN纳米柱能够极大的缓解GaN和金刚石衬底之间的晶格失配产生的应力，可以避免金刚石衬底直接外延GaN薄膜的应力

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284132 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111548864.3 (22)申请日 2021.12.17 (71)申请人 南京大学 地址 21

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