13族元素氮化物结晶层的制造方法及晶种基板.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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13族元素氮化物结晶层的制造方法及晶种基板.pdf

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本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114341410 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202080058516.5 (74)专利代理机构北京旭知行专利代理事务所