一种碳化硅功率器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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一种碳化硅功率器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制备方法。所述器件为纵向结构的碳化硅MOSFET，包括自下而上依次设置的漏极、N+型碳化硅衬底、N‑型漂移层、N型JFET区和沟道区，其中N型JFET区和沟道区形成鳍型结构，两侧各有一个栅结构；在栅结构的底部设置有P型屏蔽区，或者所述P型屏蔽区包围栅结构的底部及远离鳍型结构的外侧；在沟道区上设置N+型表面区，其上为与N+型表面区、部分P型屏蔽区表面形成欧姆接触的源极；漏极与N+型碳化硅衬底下表面形成欧姆接触。本发明的碳化硅功率器件在制作良好接地的P型屏蔽区对栅介

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284358 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111562426.2 (22)申请日 2021.12.20 (71)申请人北京大学