一种双功函数栅极的上栅极结构、制造方法和晶体管.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.06万字
约 15页
2023-05-05 发布于四川
举报
版权申诉

一种双功函数栅极的上栅极结构、制造方法和晶体管.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种双功函数栅极的上栅极结构、制造方法和晶体管。双功函数栅极的上栅极结构包括：与下栅极接触的金属掺杂层和在金属掺杂层内的钨层；所述金属掺杂层为掺杂镧的氮化钛。通过在氮化钛中掺杂镧形成的金属掺杂层实现调节功函数范围，将P型功函数调整至N型功函数范围，方便刻蚀且不需要额外工艺。因为只需要在氮化钛注入镧即可完成，因此不会在工艺上有大变化，并且不更改工艺与物质，只需要透过沉积的镧的厚度就能调整功函数，有利于晶体管的特性设计。由于金属掺杂层的电阻低，从而能够满足电阻系数和功函数。在氮化钛中掺杂镧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334957 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202011065507.7 H01L 27/108 (2006.01) (22)申请日