半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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半导体器件的制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一表面开设有第一沟槽的基底，第一沟槽中填充的第一金属层的表面低于基底的表面；形成第一介质层覆盖于基底表面和第一金属层表面，第一金属层上第一介质层中形成第二沟槽；形成第二介质层，至少填满第二沟槽；去除第二介质层和第一介质层，去除过程中第一介质层的第二表面位于一临时界面，临时界面远离第一介质层的第一表面一侧保留部分厚度第二介质层，去除保留的部分厚度第二介质层后去除第一金属层上的介质层，以形成暴露出第一金属层和第一沟槽外围基底的第三沟槽。本发明的技术方案

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284208 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111566605.3 (22)申请日 2021.12.20 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司