GB/T 41765-2022碳化硅单晶位错密度的测试方法.pdf

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| 2022-10-12 颁布
| 2023-05-01 实施

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ICS77.040 CCSH21 中华人民共和国国家标准 / — GBT41765 2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法 Testmethodfordislocationdensitofmonocrstallinesiliconcarbide y y 2022-10-12发布 2023-05-01实施国家市场监督管理总局发布国家标准化管理委员会 / — GBT41765 2022 前言 / — 《 : 》本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定 GBT1.1 2020 1 起草。。。请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会( / )与全国半导体设备和材料标准 SACTC203 化技术委员会材料分技术委员会( / / )共同提出并归口。 SACTC203SC2 : 、。本文件起草单位北京天科合达半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司 : 、、、、、、、、。本文件主要起草人彭同华佘宗静娄艳芳王大军赵宁王波郭钰杨建李素青 Ⅰ / — GBT41765 2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法 1 范围本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。 { } 、。本文件适用于晶面偏离面偏向方向的碳化硅单晶位错密度的测试 0001 1120 0°~8° 2 规范性引用文件

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