一种内线转移CCD减小smear的结构.pdfVIP

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2023-05-05 发布于四川
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一种内线转移CCD减小smear的结构.pdf

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本发明属于CCD技术领域，特别涉及一种内线转移CCD减小smear的结构，包括在内线转移CCD像元隔离区进行一次或多次势阱注入，使产生一个或多个阶梯势垒呈现台阶式分布，该势垒台阶由垂直转移沟道向光敏区逐渐降低，形成台阶势垒指向光敏区的梯度分布；本发明在不压缩光敏区占空比的前提下，减小感光过程smear现象的发生可能性，提高有效光电荷的收集效率，减小smear的影响，提高CCD光电成像性能，提高成像质量。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284308 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202111591851.4 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人中国电子科技集团公司第四十四研