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本发明涉及一种超强雪崩能力的整流二极管芯片的生产工艺，具体步骤如下，1）选料：原硅片采用（100）晶向硅单晶；2）清洗；3）一次扩散，将硼纸磷纸同时放在硅片两侧，同时进炉扩散形成P+和N+；4）电解技术，利用电解原理将硅片表面的硼硅玻璃和磷硅玻璃去除干净；5）一次黄光；6）开沟：每个晶粒在边缘处的形状必须是正斜角大于60℃造型；7）清洗；8）上玻璃粉；9）去氧化膜；10）镀镍；11）测试挑出常规电性不良晶粒；12）切割形成芯片。优点是将原材料选取、一次扩散、扩散结构、吸杂技术、电解技术、表面造型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114284146 A
(43)申请公布日 2022.04.05
(21)申请号 202111597048.1
(22)申请日 2021.12.24
(71)申请人 南通康芯半导体科技有限公司
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