一种基于FBAR结构的压力传感器及其制备方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.31万字
  • 约 15页
  • 2023-05-05 发布于四川
  • 举报

一种基于FBAR结构的压力传感器及其制备方法.pdf

本发明公开了一种基于FBAR结构的压力传感器,涉及传感器技术领域,包括基底,基底顶部开设有凹槽,基底表面覆盖有绝缘层;绝缘层与基底顶部凹槽包围形成空气腔室;绝缘层上覆盖有支撑层,支撑层上设置有压电振荡堆;基底底部还开设有背部凹槽;还包括封装盖帽,封装盖帽键合安装于基底顶部;封装盖帽底部设置有容纳压电层和顶电极的凹槽;封装盖帽上还开设有上下贯穿的通孔,通孔内壁覆盖有金属种子层,通孔内还填充有通孔金属。本发明还公开了上述压力传感器的制备方法。本发明传感器可通过对基底的背部凹槽施加压力,引起基底正面压

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114295256 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111580991.1 (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人 苏州航凯微电子技术有限公司

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档