具有改进的均匀性的半导体处理设备.pdfVIP

具有改进的均匀性的半导体处理设备.pdf

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本文所述的一个或多个实施例总体上涉及利用高射频(RF)功率来改进均匀性的半导体处理设备。半导体处理设备包括设置在基板支撑元件中的RF供能的主网和RF供能的次网。次RF网放置在主RF网下方。连接组件经配置以将次网耦合至主网。流出主网的RF电流被分配进入多个连接结。这样,即使在总RF功率/电流较高的情况下,因为RF电流散布到多个连接结,防止了主网上出现热点。据此,对基板温度和膜非均匀性具有较小的影响,从而允许使用高得多的RF功率,而不会在正被处理的基板上引起局部热点。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114303224 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202080059520.3 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公

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