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- 2023-05-05 发布于四川
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本发明提供一种探测器及制造方法，所述探测器包括探测单元，每个探测单元包括：第一P型掺杂层；形成于第一P型掺杂层的正面的第一N型掺杂层；环绕第一N型掺杂层的P型隔离层；形成于第一N型掺杂层上的第二N型掺杂层以及第二P型掺杂层；第一N型掺杂层和第二N型掺杂层作为探测单元的N端，第一P型掺杂层、第二P型掺杂层和P型隔离层作为探测单元的P端。在本发明中，包括探测单元，再利用探测单元以提高电子探测的探测速度和探测灵敏度，并以此实现低能高速电子的探测，而且，上述电子探测器可兼容于现有的CMOS工艺，有利于提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114300570 A
(43)申请公布日 2022.04.08
(21)申请号 202111640457.5 G01R 31/26 (2014.01)
(22)申请日 2
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