一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路.pdf

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本发明是关于一种抑制SiCMOSFET尖峰及串扰的驱动电路，连接于SiCMOSFET驱动电路中，驱动电路包括上下桥臂，下桥臂的第一正向、第一负向供电电源之间连接电压图腾柱结构电路，电压图腾柱结构电路的输出端连接驱动电阻电路和负压关断电压上拉电路的输入端，驱动电阻电路的输出端连接电流抽取电路和电流注入电路的输入端，负压关断电压上拉电路的输出端连接下桥臂SiCMOSFET的栅极相连；上桥臂除无负压关断电压上拉电路外，与下桥臂对称设置。本发明能够充分发挥SiCMOSFET高开关速度，低损耗的性

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114337201 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111521031.8 (22)申请日 2021.12.13 (71)申请人南京航空航天大学地址