半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一有源区上形成第一和第二栅极；在第一与第二栅极之间且在第一有源区上形成作为源极/漏极接触件的第一导电段，第一导电段直接形成在源极/漏极区上且电连接至源极/漏极区，并且与第一和第二栅极间隔开，第一栅极与第一导电段之间的第一距离不同于第二栅极与第一导电段之间的第二距离；以及在第一导电段上且接触第一导电段形成第一通孔，第一通孔的底部接触第一导电段且相对于第一导电段偏离中心，第一通孔的底部延伸到第一导电段的边界之外，第一栅极与第一通孔之间的第三距离

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361258 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202210015986.4 H01L 21/336 (2006.01)